세계 최초 3나노 파운드리 제품 양산
차세대 트랜지스터 GAA 기술 적용
이창양 산자부 장관, 협력사 등 참석

3나노 파운드리 양산을 성공시킨 삼성전자 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 주역들이 3나노 파운드리 제품을 손에 든채 양산을 축하하고 있다. [삼성전자]
(왼쪽부터) 경계현 삼성전자 대표이사, 이창양 산업통상자원부 장관, 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장이 25일 삼성전자 화성캠퍼스 V1라인에서 열린 3나노 파운드리 제품 출하식에서 기념촬영을 하고 있다.
(왼쪽부터) 경계현 삼성전자 대표이사, 이창양 산업통상자원부 장관, 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장이 25일 삼성전자 화성캠퍼스 V1라인에서 열린 3나노 파운드리 제품 출하식에서 기념촬영을 하고 있다.

[중소기업투데이 황복희 기자] 삼성전자가 25일 3나노미터(1㎚=10억분의 1m) 파운드리 제품 양산을 시작하며, 전 세계에 ‘3나노 시대’의 개막을 알렸다. 업계 1위 대만의 TSMC보다 먼저 ‘3나노’ 고지를 선점하며 추격의 발판을 마련한 것.

이날 삼성전자는 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 갖고 양산에 들어갔다.

이 날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원, 김영재 대덕전자 대표, 이준혁 동진쎄미켐 대표, 정혁석 솔브레인 대표, 김창현 원세미콘 대표, 이현덕 원익IPS 대표, 이경일 피에스케이 대표, 고상걸 케이씨텍 부회장, 이장규 텔레칩스 대표 등 협력사 및 팹리스 등 100여 명이 참석했다.

초미세 공정은 첨단산업의 성장에 필수적인 고효율·저전력·초소형 반도체를 만드는 데 꼭 필요한 기술이다. 삼성전자가 처음 이룩한 신기원으로 고성능 컴퓨터, 웨어러블 디바이스 등 첨단 IT기기 개발에도 가속도가 붙을 전망이다.

삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 정기태 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하고, 개발에서부터 양산에 이르기까지 과정을 설명했다.

이어 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 밝혔다.

산업통상자원부 이창양 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표하고, “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라”고 당부하며, “정부도 지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간투자 지원, 인력양성, 기술개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 강조했다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다.

삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.

행사에 참석한 국내 반도체 장비업체 이현덕 원익IPS 대표는 “삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한층 더 강화됐다”며 “앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다”고 밝혔다.

국내 팹리스업체 텔레칩스 이장규 대표이사는 “텔레칩스는 삼성전자의 초미세공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다”며 “삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다”고 말했다.

한편, 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작으로, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.

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